Microsemi Corporation - JANTXV1N6628U

KEY Part #: K6442385

[7415τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    JANTXV1N6628U
    Κατασκευαστής:
    Microsemi Corporation
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Θυρίστορες - TRIAC, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - JFET and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation JANTXV1N6628U. Το JANTXV1N6628U μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το JANTXV1N6628U, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N6628U Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : JANTXV1N6628U
    Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF
    Σειρά : Military, MIL-PRF-19500/590
    Κατάσταση εξαρτήματος : Active
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 600V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1.75A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.35V @ 2A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 30ns
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 2µA @ 600V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : SQ-MELF, E
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D-5B
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.