[1177τεμ]
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
- Κατασκευαστής:
- Micron Technology Inc.
- Λεπτομερής περιγραφή:
- IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA. DRAM
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Διεπαφή - Διεπαφές αισθητήρα και ανιχνευτή, Ενσωματωμένα - CPLD (Συγκροτημένες Προγραμματιζόμε, Απόκτηση δεδομένων - Αναλογικοί σε ψηφιακούς μετατ, Λογική - Συγκριτικοί, Διασύνδεση - Ρυθμιστές σήματος, επαναλήπτες, διαχω, Ενσωματωμένα - μικροελεγκτές, μικροεπεξεργαστές, μ, Μνήμη - Ελεγκτές and PMIC - Διαχείριση ενέργειας - Εξειδικευμένη ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E. Το MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Κατασκευαστής :
Micron Technology Inc.
Περιγραφή :
IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος μνήμης :
Volatile
Μορφή μνήμης :
DRAM
Τεχνολογία :
SDRAM - Mobile LPDDR4
Μέγεθος μνήμης :
32Gb (512M x 64)
Συχνότητα ρολογιού :
1866MHz
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page :
-
Χρόνος πρόσβασης :
-
Διασύνδεση μνήμης :
-
Τάση - Προμήθεια :
1.1V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-30°C ~ 85°C (TC)
Τύπος συναρμολόγησης :
-
Πακέτο / Θήκη :
-
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
-
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
-
-
IS46LR32160B-6BLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 512M (16Mx32) Mobile DDR 1.8v
-
IS43LR32160B-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile
-
IS61WV102416EDBLL-10B2LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 16M PARALLEL 48MGA. SRAM 16Mb 10ns 1Mbx16 Async SRAM 2.4V-3.6V
-
Hot Parts
- CY7C024-25JXCT
- AT27LV520-70XU
- AT49BV320C-70TU
- NAND256W4A0AN6E
- AT49LV040-70TI
- AT45DB011-XC
- AT45D161-JI
- AT28C010-15SC
- VM29LV040B-120JC
- 7005S15J/2917
- 709279L15PFI
- MT29F256G08AUEDBJ6-12:D
- W25Q256FVBIP
- MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR
- S25FL116K0XMFIS11
- IS45S16160D-7BLA1-TR
- MT44K16M36RB-107E:A TR
- M25P32-VMW3TGB TR
- IS42S32400D-7B
- NAND01GW3B2AZA6E
- MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR
- MT42L256M32D4MG-3 IT:A
- CY7C1313TV18-167BZC
- STK14C88-3WF35
- M29W128GSL70ZS6E
- IDT71V432S7PF
- IDT71V2556S133PFI
- 7130SA35PF
- 70V9099L9PF
- IDT6116SA20TPI
- CY7C1512AV18-250BZXIT
- IS42S32200E-6BL
- M27W401-80N6
- M27C4002-15F1
- IS42S16400D-7TL
- S29XS256RABBHI000
- S29GL128P10FFI0202
- S29AL016J70TFA023
- S25FL164K0XMFA013
- MX25L8008EZUI-12G