Microsemi Corporation - APT150GT120JR

KEY Part #: K6532574

APT150GT120JR Τιμολόγηση (USD) [1738τεμ]

  • 1 pcs$24.91627
  • 10 pcs$23.29982
  • 25 pcs$21.54901
  • 100 pcs$20.20220

Αριθμός εξαρτήματος:
APT150GT120JR
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT 1200V 170A 830W SOT227.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation APT150GT120JR. Το APT150GT120JR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το APT150GT120JR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT150GT120JR Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : APT150GT120JR
Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
Περιγραφή : IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Σειρά : Thunderbolt IGBT®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : NPT
Διαμόρφωση : Single
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 170A
Ισχύς - Μέγ : 830W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 150A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 150µA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : ISOTOP
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : ISOTOP®

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.