[7233τεμ]
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BYM11-1000HE3/97
- Κατασκευαστής:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB.
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division BYM11-1000HE3/97. Το BYM11-1000HE3/97 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BYM11-1000HE3/97, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
BYM11-1000HE3/97 Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
BYM11-1000HE3/97
Κατασκευαστής :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Σειρά :
SUPERECTIFIER®
Κατάσταση εξαρτήματος :
Discontinued at Digi-Key
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
1000V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.3V @ 1A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
500ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
5µA @ 1000V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-213AB, MELF (Glass)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-213AB
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 175°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
RURD660S9A-F085
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V
-
-
-
RURD460S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V
-
VS-8EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast
-
Hot Parts
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73