Vishay Siliconix - SQM40022EM_GE3

KEY Part #: K6418714

SQM40022EM_GE3 Τιμολόγηση (USD) [74045τεμ]

  • 1 pcs$0.52806

Αριθμός εξαρτήματος:
SQM40022EM_GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CHAN 40V.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - RF and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SQM40022EM_GE3. Το SQM40022EM_GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SQM40022EM_GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM40022EM_GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SQM40022EM_GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CHAN 40V
Σειρά : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 150A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.63 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 9200pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 150W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-263-7
Πακέτο / Θήκη : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.

  • SPA06N60C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220.