Αριθμός εξαρτήματος :
HS1A R3G
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
50V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1V @ 1A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
50ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
5µA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-214AC, SMA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-214AC (SMA)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C