Αριθμός εξαρτήματος :
IPI80N06S207AKSA2
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
55V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.6 mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 180µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
110nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
3400pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
250W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TO262-3-1
Πακέτο / Θήκη :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA