Infineon Technologies - IPD80N06S3-09

KEY Part #: K6407227

[1046τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPD80N06S3-09
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Μονάδες οδηγού ισχύος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPD80N06S3-09. Το IPD80N06S3-09 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPD80N06S3-09, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD80N06S3-09 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPD80N06S3-09
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
    Σειρά : OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 55V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 40A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 55µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 88nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 6100pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 107W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO252-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IPA60R520CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3.

    • IPA60R600CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3.

    • IPA60R250CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3.