Nexperia USA Inc. - NX7002AKVL

KEY Part #: K6421725

NX7002AKVL Τιμολόγηση (USD) [4830652τεμ]

  • 1 pcs$0.00766
  • 10,000 pcs$0.00696

Αριθμός εξαρτήματος:
NX7002AKVL
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Nexperia USA Inc. NX7002AKVL. Το NX7002AKVL μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το NX7002AKVL, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NX7002AKVL Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : NX7002AKVL
Κατασκευαστής : Nexperia USA Inc.
Περιγραφή : MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Σειρά : TrenchMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 190mA (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 0.43nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 20pF @ 10V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 265mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-236AB
Πακέτο / Θήκη : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FGD3N60LSDTM

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 40W DPAK.

  • BSS316NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23.

  • FDV301N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.

  • SSM3J325F,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.

  • BSS138

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.

  • BSS123NH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.