IXYS - IXFH170N25X3

KEY Part #: K6398099

IXFH170N25X3 Τιμολόγηση (USD) [6608τεμ]

  • 1 pcs$6.85729
  • 10 pcs$6.23414
  • 100 pcs$5.29902

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFH170N25X3
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 250V 170A TO247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - RF and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFH170N25X3. Το IXFH170N25X3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFH170N25X3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH170N25X3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFH170N25X3
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Σειρά : HiPerFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 250V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 170A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.4 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 13500pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 960W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247 (IXFH)
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • RCX080N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.