RS2J-E3/52T Τιμολόγηση (USD) [417431τεμ]
- 1 pcs$0.08861
- 750 pcs$0.08424
- 1,500 pcs$0.06509
- 2,250 pcs$0.05934
- 5,250 pcs$0.05552
- 18,750 pcs$0.05169
- 37,500 pcs$0.05105
- Αριθμός εξαρτήματος:
- RS2J-E3/52T
- Κατασκευαστής:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA. Rectifiers 1.5 Amp 600V 250ns
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division RS2J-E3/52T. Το RS2J-E3/52T μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το RS2J-E3/52T, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
RS2J-E3/52T Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
RS2J-E3/52T
Κατασκευαστής :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
1.5A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.3V @ 1.5A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
250ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
5µA @ 600V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
17pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-214AA, SMB
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-214AA (SMB)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
MBRB40250TG
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers REC D2PAK 40A 250V SHOTTKY
-
-
VS-50WQ04FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
SD103AW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM
Hot Parts
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18