Αριθμός εξαρτήματος :
ZXMN6A25N8TA
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 60V 8SO
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
4.3A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
20.4nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1063pF @ 30V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
1.56W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-SO
Πακέτο / Θήκη :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)