Αριθμός εξαρτήματος :
1N6081US
Κατασκευαστής :
Microsemi Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
150V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
2A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.5V @ 37.7A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
30ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
10µA @ 150V
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
SQ-MELF, G
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
G-MELF (D-5C)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 155°C