Vishay Semiconductor Diodes Division - S3DHE3/9AT

KEY Part #: K6446892

[1611τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    S3DHE3/9AT
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division S3DHE3/9AT. Το S3DHE3/9AT μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το S3DHE3/9AT, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    S3DHE3/9AT Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : S3DHE3/9AT
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 200V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 3A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.15V @ 2.5A
    Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 2.5µs
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 200V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : DO-214AB, SMC
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AB (SMC)
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • GPP60G-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

    • GPP60B-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

    • BYM07-200HE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

    • MBRB7H45-E3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB.

    • MBRB750HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 50V 7.5A TO263AB.

    • MBRB7H35-E3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO263AB.