Αριθμός εξαρτήματος :
1N1200A
Κατασκευαστής :
GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
12A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.1V @ 12A
Ταχύτητα :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
-
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
10µA @ 50V
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis, Stud Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-203AA, DO-4, Stud
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-4
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 200°C