Infineon Technologies - IPB50N12S3L15ATMA1

KEY Part #: K6419147

IPB50N12S3L15ATMA1 Τιμολόγηση (USD) [93813τεμ]

  • 1 pcs$0.41680
  • 1,000 pcs$0.32153

Αριθμός εξαρτήματος:
IPB50N12S3L15ATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL100.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPB50N12S3L15ATMA1. Το IPB50N12S3L15ATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPB50N12S3L15ATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB50N12S3L15ATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPB50N12S3L15ATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CHANNEL100
Σειρά : *
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : -
Τεχνολογία : -
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : -
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : -
Τύπος συναρμολόγησης : -
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : -
Πακέτο / Θήκη : -