Αριθμός εξαρτήματος :
VS-2EFH01-M3/I
Κατασκευαστής :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
2A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
950mV @ 2A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
24ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
2µA @ 100V
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-219AB (SMF)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 175°C