Diodes Incorporated - BS250FTA

KEY Part #: K6417144

BS250FTA Τιμολόγηση (USD) [306475τεμ]

  • 1 pcs$0.12069
  • 3,000 pcs$0.10724

Αριθμός εξαρτήματος:
BS250FTA
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated BS250FTA. Το BS250FTA μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BS250FTA, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BS250FTA Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BS250FTA
Κατασκευαστής : Diodes Incorporated
Περιγραφή : MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : P-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 45V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 90mA (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 10V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 330mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-23-3
Πακέτο / Θήκη : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.

  • FDD5N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V DPAK-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.