Vishay Siliconix - SI7218DN-T1-E3

KEY Part #: K6524873

SI7218DN-T1-E3 Τιμολόγηση (USD) [3686τεμ]

  • 3,000 pcs$0.18211

Αριθμός εξαρτήματος:
SI7218DN-T1-E3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - RF and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI7218DN-T1-E3. Το SI7218DN-T1-E3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI7218DN-T1-E3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7218DN-T1-E3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI7218DN-T1-E3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 24A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 17nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 15V
Ισχύς - Μέγ : 23W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® 1212-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® 1212-8 Dual

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει