Αριθμός εξαρτήματος :
FCU2250N80Z
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
800V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
2.6A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 260µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
14nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
585pF @ 100V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
39W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
I-PAK
Πακέτο / Θήκη :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA