Infineon Technologies - IPD042P03L3GBTMA1

KEY Part #: K6404568

[1966τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPD042P03L3GBTMA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός and Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPD042P03L3GBTMA1. Το IPD042P03L3GBTMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPD042P03L3GBTMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD042P03L3GBTMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPD042P03L3GBTMA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
    Σειρά : OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος FET : P-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 70A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 70A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 270µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 175nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 12400pF @ 15V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 150W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO252-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • TN0702N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3.

    • AUIRFR3806

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

    • AUIRFR3607

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 80A DPAK.

    • AUIRFR2407

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • AUIRFR3504

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 87A DPAK.

    • AUIRFR1018E

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 79A DPAK.