EPC - EPC2014C

KEY Part #: K6418886

EPC2014C Τιμολόγηση (USD) [151133τεμ]

  • 1 pcs$0.27055
  • 2,500 pcs$0.26921

Αριθμός εξαρτήματος:
EPC2014C
Κατασκευαστής:
EPC
Λεπτομερής περιγραφή:
GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - RF, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα EPC EPC2014C. Το EPC2014C μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το EPC2014C, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2014C Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : EPC2014C
Κατασκευαστής : EPC
Περιγραφή : GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE
Σειρά : eGaN®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : GaNFET (Gallium Nitride)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 20V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Die Outline (5-Solder Bar)
Πακέτο / Θήκη : Die
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.