Nexperia USA Inc. - PMEG3010AESBYL

KEY Part #: K6456506

PMEG3010AESBYL Τιμολόγηση (USD) [1555320τεμ]

  • 1 pcs$0.02378
  • 10,000 pcs$0.02159
  • 30,000 pcs$0.02025
  • 50,000 pcs$0.01800

Αριθμός εξαρτήματος:
PMEG3010AESBYL
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD993. Schottky Diodes & Rectifiers 1A MEGA Schottky Barrier Rectifier
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Θυρίστορ - SCRs, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Nexperia USA Inc. PMEG3010AESBYL. Το PMEG3010AESBYL μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το PMEG3010AESBYL, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMEG3010AESBYL Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : PMEG3010AESBYL
Κατασκευαστής : Nexperia USA Inc.
Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD993
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 30V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 480mV @ 1A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 3.5ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 255µA @ 20V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 86pF @ 1V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 2-XDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DSN1006-2
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : 150°C (Max)

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • DSEP8-03AS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA.

  • VS-16EDH02HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101

  • FESB8BTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM

  • UGB8CTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 150 Volt 20ns 150 Amp IFSM

  • UGB8DTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 200 Volt 20ns 150 Amp IFSM

  • UGB8ATHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 50 Volt 20ns 150 Amp IFSM