GeneSiC Semiconductor - MUR2X120A12

KEY Part #: K6468499

Λεπτομερής περιγραφή:: DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227. Rectifiers 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor MUR2X120A12. Το MUR2X120A12 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το MUR2X120A12, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

Αριθμός εξαρτήματος : MUR2X120A12

Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor

Περιγραφή : DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227

Σειρά : -

Κατάσταση εξαρτήματος : Active

Διαμόρφωση διόδου : 2 Independent

Τύπος διόδου : Standard

Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 1200V

Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο) : 120A

Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 2.35V @ 120A

Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -

Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 25µA @ 1200V

Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 175°C

Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount

Πακέτο / Θήκη : SOT-227-4, miniBLOC

Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-227

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.

Hot Parts