Αριθμός εξαρτήματος :
ESH2C R5G
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
150V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
2A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
900mV @ 2A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
20ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
2µA @ 150V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
25pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-214AA, SMB
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-214AA (SMB)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 175°C