Αριθμός εξαρτήματος :
ES1JF R3G
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FL
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.7V @ 1A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
35ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
5µA @ 600V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
9pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-221AC, SMA Flat Leads
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SMA-FL
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C