BAS19,235 Τιμολόγηση (USD) [4517943τεμ]
- 1 pcs$0.00819
- 10,000 pcs$0.00764
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BAS19,235
- Κατασκευαστής:
- Nexperia USA Inc.
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SW TAPE-11
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες and Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Nexperia USA Inc. BAS19,235. Το BAS19,235 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BAS19,235, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
BAS19,235 Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
BAS19,235
Κατασκευαστής :
Nexperia USA Inc.
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
200mA (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.25V @ 200mA
Ταχύτητα :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
50ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
100nA @ 100V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-236AB
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
150°C (Max)
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Hot Parts
- CR5F-120 BK
- IRD3CH11DF6
- FR306TA
- CMSH1-100 BK
- JANTX1N6624U
- JAN1N6622US
- VS-30BQ100GPBF
- DSB3A40
- HS247180R
- UF5A400D1
- RD0106T-H
- UGF15HT-E3/45
- UF1506S-B
- MBRH20045L
- 1N1203BR
- GP10AHE3/54
- MBR1040
- STPS1545R
- MBRD360
- MA2C700A0F
- STTH3L06B-TR
- BYW80-200
- MBRB1045TRL
- 1N6542
- SD233N36S50PSC
- 6TQ045S
- 1N6549
- ES1J-TP
- FS2B-TP
- R2500-TP
- FR203-TP
- 1N4935-TP
- FR503-AP
- RS 1AV
- ES3G R7G
- RB160M-50TR
- MURS360SHE3_A/H
- SE20PDHM3/85A
- GP10-4007-E3/54
- BAS4002LE6327XTMA1