Αριθμός εξαρτήματος :
MBR200150CTR
Κατασκευαστής :
GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Διαμόρφωση διόδου :
1 Pair Common Anode
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
150V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο) :
100A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
880mV @ 100A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
-
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
3mA @ 150V
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη :
Twin Tower
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Twin Tower