Vishay Siliconix - SIDR390DP-T1-GE3

KEY Part #: K6396192

SIDR390DP-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [73450τεμ]

  • 1 pcs$0.53234

Αριθμός εξαρτήματος:
SIDR390DP-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8D.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Μονάδες οδηγού ισχύος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SIDR390DP-T1-GE3. Το SIDR390DP-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SIDR390DP-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIDR390DP-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SIDR390DP-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8D
Σειρά : TrenchFET® Gen IV
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 153nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 10180pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SO-8DC
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SO-8

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • DMG4N60SCT

    Diodes Incorporated

    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.

  • FDN357N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3.

  • NDS0605

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23.

  • SI2318DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23.