Vishay Siliconix - SI5435BDC-T1-GE3

KEY Part #: K6413083

[13223τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SI5435BDC-T1-GE3
    Κατασκευαστής:
    Vishay Siliconix
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Μονάδες οδηγού ισχύος and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI5435BDC-T1-GE3. Το SI5435BDC-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI5435BDC-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5435BDC-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SI5435BDC-T1-GE3
    Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
    Περιγραφή : MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
    Σειρά : TrenchFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : P-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 4.3A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 4.3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 24nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1.3W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 1206-8 ChipFET™
    Πακέτο / Θήκη : 8-SMD, Flat Lead

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FDB8444TS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5.

    • MPF990

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 90V 2A TO-92.

    • MPF960

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 2A TO-92.

    • ZVN4210ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • 2N7000RLRA

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • IRLR3715ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 49A DPAK.