Αριθμός εξαρτήματος :
SIR880DP-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
80V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
74nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
2440pF @ 40V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® SO-8
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® SO-8