Infineon Technologies - FP75R12KE3BOSA1

KEY Part #: K6532680

FP75R12KE3BOSA1 Τιμολόγηση (USD) [604τεμ]

  • 1 pcs$76.77762

Αριθμός εξαρτήματος:
FP75R12KE3BOSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT MODULE 1200V 75A.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies FP75R12KE3BOSA1. Το FP75R12KE3BOSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FP75R12KE3BOSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP75R12KE3BOSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FP75R12KE3BOSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : IGBT MODULE 1200V 75A
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : NPT
Διαμόρφωση : Single
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 105A
Ισχύς - Μέγ : 355W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 75A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 5mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 5.3nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 125°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.