GeneSiC Semiconductor - 1N1184

KEY Part #: K6440309

1N1184 Τιμολόγηση (USD) [8054τεμ]

  • 1 pcs$4.34530
  • 10 pcs$3.91165
  • 25 pcs$3.56403
  • 100 pcs$3.21640
  • 250 pcs$2.95560
  • 500 pcs$2.69481

Αριθμός εξαρτήματος:
1N1184
Κατασκευαστής:
GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 100V 35A DO5. Rectifiers 100V 35A Std. Recovery
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCRs, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor 1N1184. Το 1N1184 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1N1184, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1184 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 1N1184
Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 35A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.2V @ 35A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis, Stud Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-203AB, DO-5, Stud
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-5
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 190°C
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM