Infineon Technologies - IDH10G120C5XKSA1

KEY Part #: K6442453

IDH10G120C5XKSA1 Τιμολόγηση (USD) [10390τεμ]

  • 1 pcs$3.93545
  • 10 pcs$3.55513
  • 100 pcs$2.94326
  • 500 pcs$2.56293
  • 1,000 pcs$2.23223

Αριθμός εξαρτήματος:
IDH10G120C5XKSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Μονάδες οδηγού ισχύος and Τρανζίστορ - JFET ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IDH10G120C5XKSA1. Το IDH10G120C5XKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IDH10G120C5XKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDH10G120C5XKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IDH10G120C5XKSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
Σειρά : CoolSiC™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Silicon Carbide Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 1200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 10A (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.8V @ 10A
Ταχύτητα : No Recovery Time > 500mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 0ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 62µA @ 1200V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 525pF @ 1V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : TO-220-2
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO220-2-1
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 175°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • RJU6052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

  • RJU4352SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

  • RJU3052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

  • UD0506T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

  • RD0306T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

  • STPS20M100SFP

    STMicroelectronics

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.