Αριθμός εξαρτήματος :
IXTT2N170D2
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
1700V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
2A (Tj)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 Ohm @ 1A, 0V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
110nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
3650pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό :
Depletion Mode
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
568W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-268
Πακέτο / Θήκη :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA