Microsemi Corporation - 1N5617

KEY Part #: K6441242

1N5617 Τιμολόγηση (USD) [12603τεμ]

  • 1 pcs$3.19948
  • 10 pcs$2.85750
  • 25 pcs$2.57157
  • 100 pcs$2.34307
  • 250 pcs$2.11446
  • 500 pcs$1.89731
  • 1,000 pcs$1.60014

Αριθμός εξαρτήματος:
1N5617
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL. Rectifiers D MET 1A FAST 400V
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορ - SCRs and Τρανζίστορ - JFET ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation 1N5617. Το 1N5617 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1N5617, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5617 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 1N5617
Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 400V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.6V @ 3A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 150ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 500nA @ 400V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 35pF @ 12V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : A, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : -
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 175°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • FERD30SM100ST

    STMicroelectronics

    DIODE RECT 100V 30A TO220AB. Rectifiers Field Effect Rectifier

  • SICR6650

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • SICR10650

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.