Αριθμός εξαρτήματος :
SI3460DDV-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
7.9A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
18nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
666pF @ 10V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
6-TSOP
Πακέτο / Θήκη :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6