Infineon Technologies - FS30R06W1E3B11BOMA1

KEY Part #: K6534711

FS30R06W1E3B11BOMA1 Τιμολόγηση (USD) [3317τεμ]

  • 1 pcs$13.06139

Αριθμός εξαρτήματος:
FS30R06W1E3B11BOMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOD IGBT LOW PWR EASY1B-2.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - RF, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction and Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies FS30R06W1E3B11BOMA1. Το FS30R06W1E3B11BOMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FS30R06W1E3B11BOMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS30R06W1E3B11BOMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FS30R06W1E3B11BOMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOD IGBT LOW PWR EASY1B-2
Σειρά : EasyPACK™ 1B
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : Trench Field Stop
Διαμόρφωση : Three Phase Inverter
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 600V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 45A
Ισχύς - Μέγ : 150W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 30A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 1.65nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : Yes
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.