Vishay Siliconix - SIZ904DT-T1-GE3

KEY Part #: K6522050

SIZ904DT-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [168713τεμ]

  • 1 pcs$0.21923
  • 3,000 pcs$0.20587

Αριθμός εξαρτήματος:
SIZ904DT-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SIZ904DT-T1-GE3. Το SIZ904DT-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SIZ904DT-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ904DT-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SIZ904DT-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 12nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 435pF @ 15V
Ισχύς - Μέγ : 20W, 33W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 6-PowerPair™
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 6-PowerPair™

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει