Αριθμός εξαρτήματος :
SIS862DN-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 60V 40A 1212
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
32nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1320pF @ 30V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® 1212-8
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® 1212-8