Infineon Technologies - SPI21N50C3HKSA1

KEY Part #: K6402172

[8798τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SPI21N50C3HKSA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 500V 21A I2PAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies SPI21N50C3HKSA1. Το SPI21N50C3HKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SPI21N50C3HKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPI21N50C3HKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SPI21N50C3HKSA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 500V 21A I2PAK
    Σειρά : CoolMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 500V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 13.1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 1mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 95nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 208W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO262-3-1
    Πακέτο / Θήκη : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVN2106ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

    • LND150N3-G-P003

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

    • ZVN2110ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVP2110ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.

    • BS170-D26Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • TK90S06N1L,LQ

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.