GeneSiC Semiconductor - 1N8035-GA

KEY Part #: K6444970

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - JFET and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor 1N8035-GA. Το 1N8035-GA μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1N8035-GA, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

Αριθμός εξαρτήματος : 1N8035-GA

Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor

Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Σειρά : -

Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete

Τύπος διόδου : Silicon Carbide Schottky

Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 650V

Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 14.6A (DC)

Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.5V @ 15A

Ταχύτητα : No Recovery Time > 500mA (Io)

Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 0ns

Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 650V

Χωρητικότητα @ Vr, F : 1107pF @ 1V, 1MHz

Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount

Πακέτο / Θήκη : TO-276AA

Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-276

Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 250°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

RD0506T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.
RD0106T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.
RD0504T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.
VS-50WQ06FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.
SRP600K-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 6A P600.
SRP600B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

Hot Parts