Αριθμός εξαρτήματος :
S10JCHR7G
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
10A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.1V @ 10A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
-
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
1µA @ 600V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-214AB, SMC
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-214AB (SMC)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C