Vishay Semiconductor Diodes Division - FESB16GT-E3/81

KEY Part #: K6442673

FESB16GT-E3/81 Τιμολόγηση (USD) [93548τεμ]

  • 1 pcs$0.41797
  • 800 pcs$0.38285

Αριθμός εξαρτήματος:
FESB16GT-E3/81
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB. Rectifiers 400 Volt 16 Amp 50ns Single
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16GT-E3/81. Το FESB16GT-E3/81 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FESB16GT-E3/81, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESB16GT-E3/81 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FESB16GT-E3/81
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 400V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 16A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.3V @ 16A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 50ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 400V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 175pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-263AB
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • GP2D010A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.

  • GP2D006A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.

  • GP2D005A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.

  • GDP03S060C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2.

  • LXA08B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 8A Low Qrr

  • VS-MBRD320PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK.