Infineon Technologies - IRF1018ESTRLPBF

KEY Part #: K6399316

IRF1018ESTRLPBF Τιμολόγηση (USD) [115972τεμ]

  • 1 pcs$0.31893
  • 800 pcs$0.30765

Αριθμός εξαρτήματος:
IRF1018ESTRLPBF
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRF1018ESTRLPBF. Το IRF1018ESTRLPBF μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRF1018ESTRLPBF, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF1018ESTRLPBF Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IRF1018ESTRLPBF
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Σειρά : HEXFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 79A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2290pF @ 50V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 110W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D2PAK
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IRFI614GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP.