GeneSiC Semiconductor - GB20SLT12-247

KEY Part #: K6440911

GB20SLT12-247 Τιμολόγηση (USD) [4908τεμ]

  • 1 pcs$12.16626
  • 10 pcs$11.25402
  • 25 pcs$10.34141
  • 100 pcs$9.61134
  • 250 pcs$8.82055
  • 500 pcs$8.39472

Αριθμός εξαρτήματος:
GB20SLT12-247
Κατασκευαστής:
GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247. Το GB20SLT12-247 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το GB20SLT12-247, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB20SLT12-247 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : GB20SLT12-247
Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247AC
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος διόδου : Silicon Carbide Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 1200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 20A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 2V @ 20A
Ταχύτητα : No Recovery Time > 500mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 0ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 200µA @ 1200V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 968pF @ 1V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : TO-247-2
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247AC
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 175°C
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • VS-20ETF10PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.

  • UHB10FT-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.

  • STTH8S06FP

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP. Rectifiers ULT FAST HI VLT RECT TURBO 2

  • FR207TA

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15.

  • BYV10X-600PQ

    WeEn Semiconductors

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2. Rectifiers Ultrafast Pwr Diode