Αριθμός εξαρτήματος :
SIZ918DT-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET χαρακτηριστικό :
Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
16A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
21nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
790pF @ 15V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-PowerPair® (6x5)