ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42SM16160K-6BLI-TR

KEY Part #: K938172

Λεπτομερής περιγραφή:: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz Mobile SDRAM

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Διασύνδεση - αισθητήρας, χωρητική επαφή, Ήχος Ειδικός Σκοπός, Λογική - μεταφραστές, μετατοπιστές επιπέδου, Ενσωματωμένα - μικροελεγκτές, μικροεπεξεργαστές, μ, PMIC - Προγράμματα οδήγησης οθόνης, Ρολόι / Χρονισμός - Ρυθμίσεις ρολογιού, Προγράμματ, PMIC - Ρυθμιστές τάσης - Γραμμική + εναλλαγή and Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) μ ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160K-6BLI-TR. Το IS42SM16160K-6BLI-TR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IS42SM16160K-6BLI-TR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

Αριθμός εξαρτήματος : IS42SM16160K-6BLI-TR

Κατασκευαστής : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Περιγραφή : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Σειρά : -

Κατάσταση εξαρτήματος : Active

Τύπος μνήμης : Volatile

Μορφή μνήμης : DRAM

Τεχνολογία : SDRAM - Mobile

Μέγεθος μνήμης : 256Mb (16M x 16)

Συχνότητα ρολογιού : 166MHz

Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page : -

Χρόνος πρόσβασης : 5.5ns

Διασύνδεση μνήμης : Parallel

Τάση - Προμήθεια : 2.7V ~ 3.6V

Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 85°C (TA)

Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount

Πακέτο / Θήκη : 54-TFBGA

Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 54-TFBGA (8x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

AT27C4096-90PU

Microchip Technology

IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
W94AD2KBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Hot Parts