Microsemi Corporation - 1N6643US

KEY Part #: K6441745

1N6643US Τιμολόγηση (USD) [9590τεμ]

  • 1 pcs$4.51277
  • 10 pcs$4.06061
  • 25 pcs$3.69959
  • 100 pcs$3.33866
  • 250 pcs$3.06794
  • 500 pcs$2.79724

Αριθμός εξαρτήματος:
1N6643US
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B. Diodes - General Purpose, Power, Switching .3A ULTRA FAST 75V
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation 1N6643US. Το 1N6643US μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1N6643US, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6643US Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 1N6643US
Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 50V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 300mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.2V @ 100mA
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 20ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 50nA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : SQ-MELF, B
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D-5B
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 175°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • CDBDSC3650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-60APU02-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

  • VS-60APU06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp

  • VS-60APH03-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt