Αριθμός εξαρτήματος :
SQD50N06-09L_GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 60V 50A
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
72nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
3065pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
136W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-252, (D-Pak)
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63